2dsemiconductors MBE-MoSe2說(shuō)明書(shū)
分子式： MoSe2
一個(gè)分子束外延 (MBE) 生長(zhǎng)的 MoSe2 單分子層。MBE 是一種用于單晶質(zhì)量薄膜沉積的外延方法，與化學(xué)氣相沉積 (CVD) 或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 (MOCVD) 技術(shù)相比，它提供了高結(jié)晶度和降低的缺陷密度（參見(jiàn)下面的 HRTEM 圖像）。MoSe2 單層的 MBE 生長(zhǎng)發(fā)生在 MBE 室中，基礎(chǔ)壓力為 8E-9 Torr，沉積速率極慢（每秒 5-100 個(gè)原子）以達(dá)到結(jié)構(gòu)。典型的 MBE 生長(zhǎng)在雙面拋光 c 切藍(lán)寶石上產(chǎn)生單層厚的 MoSe2 隔離三角形。目前，MBE MoSe2 僅在藍(lán)寶石基板上提供，但在不久的將來(lái)，我們的 MBE 基板還將包括云母、石墨和金。
MBE、CVD、MOCVD的比較
MBE、CVD和MOCVD之間的TEM比較
從 MBE MoSe2 收集的光學(xué)圖像
MBE MoSe2 懸浮在 TEM 網(wǎng)格上
從 MBE MoSe2 收集的 PL 光譜
從 MBE MoSe2 收集的拉曼光譜
